Příprava a charakterizace strukturovaných povrchů na bázi křemíku

Kotěna, Jan

Příprava a charakterizace strukturovaných povrchů na bázi křemíku

DSpace Repository

Language: English čeština

Příprava a charakterizace strukturovaných povrchů na bázi křemíku

dc.contributor.advisor	Minařík, Antonín
dc.contributor.author	Kotěna, Jan
dc.date.accessioned	2015-03-08T21:02:32Z
dc.date.available	2015-03-08T21:02:32Z
dc.date.issued	2014-02-07
dc.identifier	Elektronický archiv Knihovny UTB
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10563/28787
dc.description.abstract	Cílem této práce byl vývoj a optimalizace nového postupu přípravy strukturovaných povrchů na bázi křemíku metodou anizotropního leptání v teplotních spádech. Tyto povrchy byly následně charakterizovány metodami pro zobrazení topografie povrchu mikroskopií atomárních sil (AFM) a skenovací elektronovou mikroskopií (SEM). Byl zkoumán vliv čistoty povrchu, složení leptacího činidla, času leptání, objemu leptacího média, teploty a teplotních spádů. Z výsledků vyplynulo, že volbou optimálních parametrů leptacího procesu a s použitím speciálně upraveného zařízení pro leptání křemíkových waferů lze připravit různě strukturované povrchy s rozdílnou homogenitou pokrytí a velikostí jednotlivých strukturních útvarů.
dc.format	108 s. (115 463 znaků)
dc.language.iso	cs
dc.publisher	Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně
dc.rights	Bez omezení
dc.subject	teplotní spád	cs
dc.subject	křemík	cs
dc.subject	anizotropní leptání	cs
dc.subject	KOH	cs
dc.subject	AFM	cs
dc.subject	SEM	cs
dc.subject	prvková analýza	cs
dc.subject	temperature gradient	en
dc.subject	silicon	en
dc.subject	anisotropic etching	en
dc.subject	KOH	en
dc.subject	AFM	en
dc.subject	SEM	en
dc.subject	element analysis	en
dc.title	Příprava a charakterizace strukturovaných povrchů na bázi křemíku
dc.title.alternative	Preparation and Characterization of Silicon-based Structured Surfaces
dc.type	diplomová práce	cs
dc.contributor.referee	Mráček, Aleš
dc.date.accepted	2014-06-18
dc.description.abstract-translated	The goal of this work was the development and optimization of a novel process for the pre-paration of structured silicon-based surfaces using anizotropic etching in a temperature gradient. These surfaces were further characterized using surface displaying methods atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM).The effects of etching solvent composition, etch time, etching solvent volume, temperature, temperature gradient and surface purity were studied. The experimental results show that by choosing optimal etching parameters and when using modified machine made for Si wafer etching one can prepare differently structured surfaces which differ in homogenous coverage of etched area and in size of structural elements.
dc.description.department	Ústav fyziky a mater. inženýrství
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cs
dc.thesis.degree-discipline	Materials Engineering	en
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně. Fakulta technologická	cs
dc.thesis.degree-grantor	Tomas Bata University in Zlín. Faculty of Technology	en
dc.thesis.degree-name	Ing.
dc.thesis.degree-program	Chemie a technologie materiálů	cs
dc.thesis.degree-program	Chemistry and Materials Technology	en
dc.identifier.stag	34515
utb.result.grade	A
dc.date.submitted	2014-05-26